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Fibra sinterizzata del metallo
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Feltro di titanio della fibra
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feltro sinterizzato della fibra del metallo
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Fibra di titanio
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Filato cucirino del metallo
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Masterbatch conduttivo
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Filato conduttivo
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cartuccia di filtro dal metallo
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bruciatore della fibra del metallo
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fibra dell'acciaio inossidabile
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fibra corta
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Fibra di nichel
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Fibra di rame
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Materiale di Hastelloy
Media filtrante metallica da 1μm per la purificazione del gas di processo dei semiconduttori --- Fabbricazione di wafer con controllo AMC

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xDistanze | 80-100um | Packing | flexible |
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Application | Semi-conductor Gas Filter/High Purity Gas Filters Solution | Materiale | Acciaio inossidabile 316L/Hastelloy C22/C59/Nickel 200 |
Diametro | 1um/1.5um/2um |
Elemento filtrante in metallo da 1μm (Nanoscale)per la purificazione dei gas di processo dei semiconduttori
Tipo di prodotto: fibra corta in acciaio inossidabile 316L ultrafine
Diametro della fibra: 1um/1.5um/2um disponibili
Lunghezza di taglio: 80-100um
Composizione chimica della materia prima (Wt%)
Elementi |
C |
Si |
Mn
|
Ni
|
Cr
|
Mo
|
S
|
P
|
Standard
|
≤0.03
|
≤1.00
|
≤2.00
|
10~14
|
16~18
|
2~3
|
≤0.03
|
≤0.045
|
Valore
|
0.028
|
0.56
|
0.5
|
10.85
|
16.97
|
2.1
|
0.003
|
0.027
|
Nella produzione di semiconduttori, il mantenimento di gas di processo ad altissima purezza è fondamentale per prevenire difetti e garantire rese elevate. I filtri in metallo da 1μm svolgono un ruolo fondamentale nella purificazione dei gas rimuovendo i contaminanti particellari e contribuendo al controllo della contaminazione molecolare aerotrasportata (AMC), essenziale per la fabbricazione avanzata di wafer.
Caratteristiche principali e vantaggi
Filtrazione ad alta efficienza (ritenzione di 1μm)
Cattura particelle sub-microniche che potrebbero causare difetti nei processi di fotolitografia, incisione e deposizione.
Riduce il rischio di contaminazione della superficie del wafer, migliorando la resa.
Chimicamente inerte e resistente alla corrosione
Realizzato in acciaio inossidabile (316L), nichel o leghe sinterizzate ad alta purezza per la compatibilità con gas aggressivi (ad es. HF, HCl, NH₃).Resiste al degassamento, prevenendo ulteriori contaminazioni.
Capacità di controllo AMC
Alcuni filtri metallici avanzati incorporano
trattamenti superficiali o rivestimenti (ad es. passivazione, elettrolucidatura) per ridurre al minimo l'adsorbimento/desorbimento di composti organici volatili o acidi.Aiuta a soddisfare
i requisiti SEMI F21 AMC Classe 1 per processi sensibili come la litografia EUV.Resistenza alle alte temperature e pressioni
Prestazioni stabili in condizioni difficili (fino a 500°C o superiori per alcune leghe).
Adatto per
linee di gas CVD, diffusione e impianto ionico.Lunga durata e pulibilità
Riutilizzabile dopo la pulizia (metodi a ultrasuoni, chimici o termici), riducendo i costi di proprietà.
Design a bassa caduta di pressione per un flusso di gas efficiente dal punto di vista energetico.
Applicazioni nella produzione di semiconduttori
Erogazione di gas ad altissima purezza (UHP)
(N₂, Ar, H₂, O₂, ecc.)Processi di incisione e deposizione
(CVD, PVD, ALD)Fotolitografia
(ambienti EUV/DUV sensibili all'AMC)Filtrazione di gas sfusi e point-of-use (PoU)
Perché i filtri metallici rispetto alle alternative?
Durata superiore
rispetto ai filtri polimerici (che possono degradarsi e rilasciare particelle).Nessun rilascio di fibre
a differenza dei tradizionali filtri HEPA/ULPA.Migliore mitigazione AMC
rispetto ai filtri particellari standard.Conformità e standard
SEMI F20
(Controllo delle particelle)SEMI F21
(Classificazione AMC)ISO 14644-1
(Standard per camere bianche)Conclusione
I filtri metallici da 1μm
sono una soluzione robusta per la purificazione dei gas dei semiconduttori, che combinafiltrazione delle particelle, controllo AMC e resistenza chimica per soddisfare le rigorose esigenze della fabbricazione avanzata di wafer.