Fibra corta di acciaio inossidabile 316L ultrafine

Tipo di prodotto: fibre corte in acciaio inossidabile 316L ultrafine

Diametro della fibra: 1um/1.5um/2um disponibile

Lunghezza di taglio: 80-100um

Composizione chimica della materia prima ((Wt%))

Nella produzione di semiconduttori, il mantenimento di gas di processo di ultraalta purezza è fondamentale per prevenire i difetti e garantire elevati rendimenti.i filtri metallici svolgono un ruolo fondamentale nella depurazione dei gas rimuovendo i contaminanti di particolato e contribuendo allo stesso tempo al controllo della contaminazione molecolare nell'aria,che è essenziale per la fabbricazione avanzata di wafer.

Caratteristiche e vantaggi principali

Filtrazione ad alta efficienza (1μm di ritenzione)

Cattura particelle sotto-microniche che potrebbero causare difetti nei processi di fotolitografia, incisione e deposizione.

Riduce il rischio di contaminazione della superficie del wafer, migliorando la resa.

Inerte chimicamente e resistente alla corrosione

Prodotto da materiale di alta purezzaAcciaio inossidabile (316L), nichel o leghe sinterizzateper la compatibilità con gas aggressivi (ad esempio HF, HCl, NH3).

Resiste alla fuoriuscita di gas, evitando ulteriori contaminazioni.

Capacità di controllo AMC

Alcuni filtri metallici avanzati incorporanotrattamenti o rivestimenti superficiali(ad es. passivazione, elettropolizia) per ridurre al minimo l'adsorbimento/desorbimento di sostanze organiche volatili o acidi.

Aiuta a incontrareSEMI F21 AMC classe 1requisiti per processi sensibili come la litografia EUV.

Resistenza alle alte temperature e alla pressione

prestazioni stabili in condizioni difficili (fino a 500 °C o più per alcune leghe).

Adatto per:CVD, diffusione e impianto ionicolinee di gas.

Lunga durata e pulizia

Riutilizzabile dopo la pulizia (metodi ad ultrasuoni, chimici o termici), riducendo i costi di proprietà.

Progettazione di goccia a bassa pressione per un flusso di gas energeticamente efficiente.

Applicazioni nella produzione di semiconduttori

Fornitura di gas ad altissima purezza (UHP)(N2, Ar, H2, O2, ecc.)

Processi di incisione e deposizione(CVD, PVD, ALD)

Fotolitografia(ambienti EUV/DUV sensibili alle AMC)

Filtrazione di gas sfusi e filtrazione al punto di utilizzo (PoU)

Perché i filtri metallici invece delle alternative?

Durabilità superiorecontro i filtri polimerici (che possono degradare e eliminare le particelle).

Nessuna perdita di fibrea differenza dei filtri HEPA/ULPA tradizionali.

Migliore attenuazione dell'AMCrispetto ai filtri di particolato standard.

Conformità e norme

SEMI F20(Controllo delle particelle)

SEMI F21(Classificazione AMC)

ISO 14644-1(Norme per le stanze pulite)

Conclusioni

Medi filtranti metallici da 1 μmè una soluzione robusta per la depurazione dei gas semiconduttori, che combinafiltrazione dei particolati, controllo AMC e resistenza chimicaper soddisfare le rigide esigenze della fabbricazione avanzata di wafer.