Media filtrante metallica da 1μm per la purificazione del gas di processo dei semiconduttori --- Fabbricazione di wafer con controllo AMC

Luogo di origine Yiyang, Cina
Marca Huitong
Certificazione SGS
Numero di modello Fibra ultrafina corta
Quantità di ordine minimo 1 kg
Prezzo negotiable
Packaging Details Paper carton
Tempi di consegna Dipende dalla quantità
Termini di pagamento L/C,T/T
Capacità di alimentazione 500 kg/mese

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Dettagli
Distanze 80-100um Packing flexible
Application Semi-conductor Gas Filter/High Purity Gas Filters Solution Materiale Acciaio inossidabile 316L/Hastelloy C22/C59/Nickel 200
Diametro 1um/1.5um/2um
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Descrizione di prodotto

Elemento filtrante in metallo da 1μm (Nanoscale)per la purificazione dei gas di processo dei semiconduttori


Tipo di prodotto: fibra corta in acciaio inossidabile 316L ultrafine

Diametro della fibra: 1um/1.5um/2um disponibili

Lunghezza di taglio: 80-100um

Composizione chimica della materia prima (Wt%)

Elementi

C

Si

Mn
Ni
Cr
Mo
S
P
Standard
≤0.03
≤1.00
≤2.00
10~14
16~18
2~3
≤0.03
≤0.045
Valore
0.028
0.56
0.5
10.85
16.97
2.1
0.003
0.027


Nella produzione di semiconduttori, il mantenimento di gas di processo ad altissima purezza è fondamentale per prevenire difetti e garantire rese elevate. I filtri in metallo da 1μm svolgono un ruolo fondamentale nella purificazione dei gas rimuovendo i contaminanti particellari e contribuendo al controllo della contaminazione molecolare aerotrasportata (AMC), essenziale per la fabbricazione avanzata di wafer.

Caratteristiche principali e vantaggi

Filtrazione ad alta efficienza (ritenzione di 1μm)

Cattura particelle sub-microniche che potrebbero causare difetti nei processi di fotolitografia, incisione e deposizione.

Riduce il rischio di contaminazione della superficie del wafer, migliorando la resa.

Chimicamente inerte e resistente alla corrosione

Realizzato in acciaio inossidabile (316L), nichel o leghe sinterizzate ad alta purezza per la compatibilità con gas aggressivi (ad es. HF, HCl, NH₃).Resiste al degassamento, prevenendo ulteriori contaminazioni.

Capacità di controllo AMC

Alcuni filtri metallici avanzati incorporano

trattamenti superficiali o rivestimenti (ad es. passivazione, elettrolucidatura) per ridurre al minimo l'adsorbimento/desorbimento di composti organici volatili o acidi.Aiuta a soddisfare

i requisiti SEMI F21 AMC Classe 1 per processi sensibili come la litografia EUV.Resistenza alle alte temperature e pressioni

Prestazioni stabili in condizioni difficili (fino a 500°C o superiori per alcune leghe).

Adatto per

linee di gas CVD, diffusione e impianto ionico.Lunga durata e pulibilità

Riutilizzabile dopo la pulizia (metodi a ultrasuoni, chimici o termici), riducendo i costi di proprietà.

Design a bassa caduta di pressione per un flusso di gas efficiente dal punto di vista energetico.

Applicazioni nella produzione di semiconduttori

Erogazione di gas ad altissima purezza (UHP)

 (N₂, Ar, H₂, O₂, ecc.)Processi di incisione e deposizione

 (CVD, PVD, ALD)Fotolitografia

 (ambienti EUV/DUV sensibili all'AMC)Filtrazione di gas sfusi e point-of-use (PoU)

Perché i filtri metallici rispetto alle alternative?

Durata superiore

 rispetto ai filtri polimerici (che possono degradarsi e rilasciare particelle).Nessun rilascio di fibre

 a differenza dei tradizionali filtri HEPA/ULPA.Migliore mitigazione AMC

 rispetto ai filtri particellari standard.Conformità e standard

SEMI F20

 (Controllo delle particelle)SEMI F21

 (Classificazione AMC)ISO 14644-1

 (Standard per camere bianche)Conclusione

I filtri metallici da 1μm

 sono una soluzione robusta per la purificazione dei gas dei semiconduttori, che combinafiltrazione delle particelle, controllo AMC e resistenza chimica per soddisfare le rigorose esigenze della fabbricazione avanzata di wafer.